Latencia CAS, rendimiento teórico y voltajes de RAM seguros

Latencia de RAM

La latencia de la RAM es otro parámetro básico que afecta directamente al rendimiento de los módulos. Al igual que el valor más alto posible cuenta para el reloj, el valor más bajo posible cuenta para la latencia.

Al ver números como CL34-44-44-78 1T en las especificaciones del módulo, es útil saber lo que significan. Estos valores están directamente relacionados con CL-TRCD-TRP-TRAS y CR. Todos los valores indicados se calculan en ciclos de reloj.

CL (CAS Latency) – es el número de ciclos de reloj que deben transcurrir desde que se recibe una petición de acceso a una columna de DRAM hasta que los datos son expuestos en el bus.

tRCD (Row Address to Column Address Delay) – especifica el número mínimo de ciclos de reloj desde que se direcciona una fila de memoria hasta que se accede a las columnas. El tiempo para leer la primera palabra de la memoria que requiere una fila para ser direccionada es tRCD+CL ciclos de reloj.

tRP (Row Precharge Time) – especifica el número mínimo de ciclos de reloj que deben transcurrir entre el cierre y el direccionamiento de la siguiente fila de memoria en el mismo banco. Si es necesario cambiar una fila, el tiempo de acceso a la fila siguiente es tRP+tRCD+CL ciclos de reloj.

tRAS (Row Active Time) – especifica el número mínimo de ciclos de reloj que deben transcurrir entre la activación de una fila y su cierre.

CR (Command Rate) – especifica el tiempo en ciclos de reloj que se emite una dirección de fila o columna en las líneas de señal. Un valor de 1T dice que la dirección en las líneas de señal está disponible después de un ciclo de reloj, mientras que 2T dice que deben ocurrir dos ciclos de reloj completos. Cuanto mayor sea el número CR, mayor será la latencia. El valor CR depende de la frecuencia de reloj del módulo y de su diseño (por ejemplo, Single Rank o Dual Rank). Cuanto mayor sea la frecuencia de reloj, la capacidad y el nivel de complejidad del diseño del módulo, más aconsejable será el valor 2T.

Rendimiento teórico de los módulos de memoria

La relación entre velocidad (MT/s) y retardo (CL) puede compararse a la circulación por distintas autopistas en un mismo momento. Suponiendo que se nos da «acceso» a una autopista durante un determinado periodo de tiempo que se especifica en CL, podemos desplazarnos por una autopista concreta a una determinada velocidad expresada en MT/s. Debido al gran número de operaciones que se realizan en el ordenador durante un segundo, este cambio de la autopista de ejemplo es muy frecuente, por lo que el rendimiento global se ve afectado por el tiempo de respuesta y acceso a las propias autopistas (bits de memoria), así como por la velocidad de movimiento sobre ellas.

Sabiendo que para el rendimiento real de la RAM no sólo importa la velocidad, sino también la baja latencia, se puede calcular el rendimiento teórico de los módulos sustituyendo los valores específicos de la memoria en la fórmula.

(1 / [(MT/s) / 2] x CL) x 1000

Tomando como ejemplo 6400 MT/s y latencia CL34, podemos calcular el tiempo de respuesta aproximado de los módulos de ejemplo, que se expresará en nanosegundos (ns).

(1 / [6400 / 2] x 34) x 1000

(1 / 3200 x 34) x 1000

0,010625 x 1000

10,625 ns

Cuando se sustituyen en la misma fórmula los módulos de 6800 MT/s, ligeramente más rápidos, pero con una latencia significativamente mayor en CL40, el resultado es de aproximadamente 11.765 nanosegundos, por lo que el tiempo de respuesta en comparación con los módulos CL34 de 6400 MT/s es más de 1 nanosegundo superior. Como recordatorio, un nanosegundo es la milmillonésima parte de un segundo e incluso en un tiempo tan corto se pueden realizar más de unos cuantos millones de operaciones. Por tanto, cada parte de un nanosegundo se traduce directamente en el rendimiento global de los módulos y de todo el ordenador.

Tensiones de funcionamiento del módulo RAM

DDR5-minnena arbetar med en spänning på 1,1 V, vilket är 0,1 V lägre än föregångaren. Sådana spänningar resulterar i lägre strömförbrukning, men du måste veta att detta endast gäller moduler vars prestanda är nominella och resultat av de JEDEC-kompatibla komponenter som används, med andra ord, inte överklockade.

För moduler med högre prestanda, även kallade «OC» (överklockade), måste spänningsvärdet ökas. För att uppnå ännu högre prestanda i DDR5-moduler går spänningarna upp till samma magnituder som för föregående generation. Spänningarna i den senaste generationens överklockade moduler ligger mellan 1,25 och 1,45 V. De angivna spänningarna är säkra och det rekommenderas inte att överskrida dem, eftersom detta kan påverka stabiliteten i hela datorn eller leda till skador på modulerna själva eller till och med moderkortet.

Si el perfil de overclocking guardado tiene asignado un valor de 1,35 V, merece la pena aumentar mínimamente el voltaje (en este caso en 0,1 V) y volver a comprobar la estabilidad de los módulos con el aumento de la velocidad de reloj o la reducción de la latencia. Si no se consigue la estabilidad esperada, queda reducir la velocidad mencionada o aumentar la latencia.

Esperamos que nuestra serie de tres materiales sobre la memoria RAM le haya proporcionado una visión del principio de funcionamiento incluso de los componentes individuales de la memoria RAM, facilitándole la comprensión de cómo funcionan en su ordenador. Cada memoria es una colección de muchos parámetros que interactúan directamente entre sí.

A la hora de elegir los módulos de memoria, hay que prestar especial atención a la capacidad, la velocidad y la latencia (CL); en este material y en los dos anteriores se explica todo 🙂

Ha llegado el momento de dar más detalles sobre las unidades SSD y la memoria NAND. Habrá más sobre este tema en futuros artículos, así que permanezca atento a nuestro material 😉

Si desea consultar otros materiales, visite nuestro blog AQUÍ.

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