DRAM DDR3 / DDR4 ECC
Стабільність системи та безпека роботи, яку забезпечує використання пам’яті з технологією ECC, особливо важлива при побудові робочих станцій і серверів, де стабільність роботи є одним з ключових елементів. Модулі також можуть використовуватися в промислових додатках.
Ключові особливості
- Наявні потужності:
DDR3: 4, 8 GB DDR4: 4, 8, 16 GB
- Формат DIMM
- Кістки пам'яті Major-grade
- напруга живлення
DDR3: 1,5 В і 1,35 В
DDR4: 1,2 В - частота
DDR3: 1333, 1600 MHz
DDR4: 2133, 2400, 2666 MHz - довічна гарантія + технічна підтримка
Підвищена надійність і стабільність роботи також у режимі 24/7
Фінансова економія на утриманні серверів і дата-центру та їх обладнання
Зниження енергоспоживання до 20%.
Підвищення продуктивності робочого місця
Функція ECC
У процесі обміну інформацією в оперативній пам’яті можуть виникати помилки через втручання в роботу, що може призвести до втрати даних або нестабільності системи. Для виявлення та усунення помилок було запроваджено додатковий захід безпеки – функцію коду корекції помилок (ECC). Функція ECC не впливає на інші параметри модуля. Завдяки цій технології пам’ять ECC забезпечує більшу стабільність роботи комп’ютерної системи.
Функція ECC
У процесі обміну інформацією в оперативній пам’яті можуть виникати помилки через втручання в роботу, що може призвести до втрати даних або нестабільності системи. Для виявлення та усунення помилок було запроваджено додатковий захід безпеки – функцію коду корекції помилок (ECC). Функція ECC не впливає на інші параметри модуля. Завдяки цій технології пам’ять ECC забезпечує більшу стабільність роботи комп’ютерної системи.
Якість серверної пам’яті
Серед інших переваг пам’яті ECC – стабільна робота, механізм моніторингу даних і, завдяки методу ретельного відбору кісток пам’яті, найвища якість виготовлення та продуктивність.
Потенціал
DDR3: 4 GB, 8 GB
DDR4: 4 GB, 8 GB, 16 GB
Тип пам'яті
DDR3/DDR4 ECC
Частота
DDR3: 1333 MHz, 1600 MHz
DDR4: 2133 MHz, 2400 MHz, 2666 MHz
Напруга
DDR3: 1,5 V
DDR3: 1,35 V
DDR4: 1,2 V
Затримки
CL7, CL9, CL11, CL13, CL15, CL17, CL19
Специфікація DDR3 ECC
| Продукт | Напруга | Ємність | Організація чіпів | Тип | Частота |
|---|---|---|---|---|---|
| W-MEM1333E3D84G | 1,5 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| LV W-MEM1333E3D84GLV | 1,35 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| VLP W-MEM13E3D84G VLP | 1,5 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| LV VLP W-MEM13E3D84GLV VLP | 1,35 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| W-MEM1333E3D88G | 1,5 V | 8 GB | 512x8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| LV W-MEM1333E3D88GLV | 1,35 V | 8 GB | 512x8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| VLP W-MEM13E3D88G VLP | 1,5 V | 8 GB | 512x8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| LV VLP W-MEM13E3D88GLV VLP | 1,35 V | 8 GB | 512x8 | DDR3 ECC | 1333 MHz |
| W-MEM1600E3D84G | 1,5 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| LV W-MEM1600E3D84GLV | 1,35 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| VLP W-MEM16E3D84G VLP | 1,5 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| LV VLP W-MEM16E3D84GLV VLP | 1,35 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| SO-DIMM LV W-MEM1600SE3D84GLV SO-DIMM | 1,35 V | 4 GB | 256×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| W-MEM1600E3D88G | 1,5 V | 8 GB | 512×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| LV W-MEM1600E3D88GLV | 1,35 V | 8 GB | 512×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| VLP W-MEM16E3D88G VLP | 1,5 V | 8 GB | 512×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| LV VLP W-MEM16E3D88GLV VLP | 1,35 V | 8 GB | 512×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
| SO-DIMM LV W-MEM1600SE3D88GLV SO-DIMM | 1,35 V | 8 GB | 512×8 | DDR3 ECC | 1600 MHz |
Goodram залишає за собою право вносити зміни в технічні характеристики в будь-який час без попереднього повідомлення.
Специфікація DDR4 ECC
| Продукт | Напруга | Ємність | Організація чіпів | Тип | Частота |
|---|---|---|---|---|---|
| W-MEM2133E4S84G | 1,2 V | 4 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2133 MHz |
| W-MEM2133E4S88G | 1,2 V | 8 GB | 1024×8 | DDR4 ECC | 2133 MHz |
| W-MEM2133E4D88G | 1,2 V | 8 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2133 MHz |
| W-MEM2133E4D816G | 1,2 V | 16 GB | 1024×8 | DDR4 ECC | 2133 MHz |
| W-MEM2400E4S84G | 1,2 V | 4 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2400 MHz |
| W-MEM2400E4S88G | 1,2 V | 8 GB | 1024×8 | DDR4 ECC | 2400 MHz |
| W-MEM2400E4D88G | 1,2 V | 8 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2400 MHz |
| W-MEM2400E4D816G | 1,2 V | 16 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2400 MHz |
| W-MEM2666E4S88G | 1,2 V | 8 GB | 1024×8 | DDR4 ECC | 2666 MHz |
| W-MEM2666E4D88G | 1,2 V | 8 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2666 MHz |
| W-MEM2666E4D816G | 1,2 V | 16 GB | 512×8 | DDR4 ECC | 2666 MHz |
Goodram залишає за собою право вносити зміни в технічні характеристики в будь-який час без попереднього повідомлення.
Положення про відмову від відповідальності
Веб-сайт www.goodram.com та інформаційний бюлетень призначені для надання інформації про компанію Wilk Elektronik SA, наші продукти та послуги.
Ми докладаємо всіх зусиль для того, щоб ця інформація була актуальною, точною та повною.
Ця інформація представлена як загальна комерційна інформація і не є офертою в розумінні статті 66 Цивільного кодексу.
Wilk Elektronik SA не несе відповідальності за будь-які помилки, помилки або неточності у вищезазначеній інформації.
З огляду на вищевикладене, будь-які претензії за шкоду або збитки, що виникають прямо або побічно в результаті використання нашого веб-сайту або інформаційного бюлетеня та інформації, що міститься в них, виключаються.
Ми залишаємо за собою право змінювати зміст наших веб-сторінок у будь-який час.
Наш сайт може містити посилання на зовнішні веб-сайти третіх осіб, зміст яких знаходиться поза нашим контролем.
Отже, ми не можемо нести відповідальність за їхній зміст.
Відповідальність за зміст сторінок, на які ведуть посилання, завжди несе відповідний провайдер або оператор веб-сайту. Ці сайти були перевірені на предмет можливої незаконності на момент розміщення посилань. Якщо нам стане відомо про будь-які юридичні порушення, ми негайно видалимо відповідні посилання.
Будь ласка, зверніть увагу, що після того, як ви покинете наш сайт, інші сайти можуть мати іншу політику конфіденційності та умови, які ми не можемо контролювати. Будь ласка, ознайомтеся з політикою конфіденційності цих сайтів, а також з їхніми “Умовами надання послуг”, перш ніж брати участь у будь-якій діяльності або розміщувати будь-яку інформацію.
